货期:国内(1~3工作日)
起订量:182
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
182 | ¥0.52812 | ¥96.12 |
300 | ¥0.505035 | ¥151.51 |
500 | ¥0.4822 | ¥241.10 |
1000 | ¥0.459198 | ¥459.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 14.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.4 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 7.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.3 ns
典型接通延迟时间 6.7 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP001566566
单位重量 540 mg
购物车
0IRF8707GTRPBF
型号:IRF8707GTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
182+: | ¥0.52812 |
300+: | ¥0.505035 |
500+: | ¥0.4822 |
1000+: | ¥0.459198 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00