CSD87501L

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 14 A

漏源电阻 4.6 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 40 nC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 712 ns, 712 ns

正向跨导（Min） 48 S, 48 S

上升时间 260 ns, 260 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 709 ns, 709 ns

典型接通延迟时间 164 ns, 164 ns

高度 0.2 mm

长度 3.37 mm

宽度 1.47 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 3.100 mg