IGT1112M90
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- 制造商编号：
- IGT1112M90
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15784.85629 | ￥15784.86 |
| 10 | ￥15540.076901 | ￥155400.77 |
| 25 | ￥15295.348515 | ￥382383.71 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IGT1112M90
制造商
Integra Technologies Inc.
商品描述
GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
包装
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系列
*
零件状态
Active
晶体管类型
-
频率
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增益
-
电压 - 测试
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额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
-
功率 - 输出
-
电压 - 额定
-
封装/外壳
-
供应商器件封装
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注
IGT1112M90品牌厂家：Integra Technologies Inc.
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、IGT1112M90
数据手册PDF。
IGT1112M90
型号：IGT1112M90
品牌：Integra Technologies Inc.
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15784.85629 |
| 10+： | ￥15540.076901 |
| 25+： | ￥15295.348515 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15784.86