货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥230.700816 | ¥230.70 |
10 | ¥211.992299 | ¥2119.92 |
100 | ¥179.038259 | ¥17903.83 |
500 | ¥159.266964 | ¥79633.48 |
1000 | ¥149.780843 | ¥149780.84 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 441 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UF3C065030K3S
型号:UF3C065030K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥230.700816 |
10+: | ¥211.992299 |
100+: | ¥179.038259 |
500+: | ¥159.266964 |
1000+: | ¥149.780843 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥230.70