货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.672253 | ¥6.67 |
10 | ¥5.683771 | ¥56.84 |
25 | ¥5.308147 | ¥132.70 |
100 | ¥3.942808 | ¥394.28 |
250 | ¥3.745358 | ¥936.34 |
500 | ¥3.078133 | ¥1539.07 |
1000 | ¥2.501971 | ¥2501.97 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 24 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.5 ns
上升时间 2.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21.6 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 158 mg
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0DMN2011UTS-13
型号:DMN2011UTS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.672253 |
10+: | ¥5.683771 |
25+: | ¥5.308147 |
100+: | ¥3.942808 |
250+: | ¥3.745358 |
500+: | ¥3.078133 |
1000+: | ¥2.501971 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.67