SI4532DY

制造商 onsemi

商标 onsemi / Fairchild

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 3.9 A

漏源电阻 53 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V, 3 V

栅极电荷 15 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 0.8 ns, 6 ns

正向跨导（Min） 7 S, 5 S

上升时间 18 ns, 8 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 15 ns, 18 ns

典型接通延迟时间 7 ns, 9 ns

高度 1.75 mm

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

零件号别名 SI4532DY_NL

单位重量 230.400 mg