
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥472.761935 | ¥472.76 |
| 25 | ¥391.885213 | ¥9797.13 |
| 100 | ¥367.392745 | ¥36739.27 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 210 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 375 nC
耗散功率 1.25 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 84 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 210 ns
典型接通延迟时间 38 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK210N30X3
型号:IXFK210N30X3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥472.761935 |
| 25+: | ¥391.885213 |
| 100+: | ¥367.392745 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥472.76