货期:国内(1~3工作日)
起订量:300
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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300 | ¥33.997471 | ¥10199.24 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 850 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH12N80P
型号:IXFH12N80P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
300+: | ¥33.997471 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00