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起订量:3000
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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.973834 | ¥2921.50 |
6000 | ¥0.914814 | ¥5488.88 |
15000 | ¥0.855794 | ¥12836.91 |
30000 | ¥0.784969 | ¥23549.07 |
75000 | ¥0.75546 | ¥56659.50 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 540 mA
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 530 pC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.5 ns
上升时间 7.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.8 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN2004DWK-7
型号:DMN2004DWK-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥0.973834 |
6000+: | ¥0.914814 |
15000+: | ¥0.855794 |
30000+: | ¥0.784969 |
75000+: | ¥0.75546 |
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