货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥220.521063 | ¥220.52 |
10 | ¥203.388493 | ¥2033.88 |
100 | ¥173.682504 | ¥17368.25 |
500 | ¥157.685716 | ¥78842.86 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 82 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 240 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 26.59 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXFB82N60P
型号:IXFB82N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥220.521063 |
10+: | ¥203.388493 |
100+: | ¥173.682504 |
500+: | ¥157.685716 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥220.52