
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥180.310373 | ¥180.31 |
| 10 | ¥166.301824 | ¥1663.02 |
| 100 | ¥142.012543 | ¥14201.25 |
| 500 | ¥128.932673 | ¥64466.34 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 82 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 240 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 26.59 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
单位重量 1.600 g
购物车
0IXFB82N60P
型号:IXFB82N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥180.310373 |
| 10+: | ¥166.301824 |
| 100+: | ¥142.012543 |
| 500+: | ¥128.932673 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥180.31