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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 6.72 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 167 nC
耗散功率 349 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60.8 ns
上升时间 55.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 151.8 ns
典型接通延迟时间 45.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 934067448127
单位重量 2 g
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0PSMN7R8-120PSQ
型号:PSMN7R8-120PSQ
品牌:Nexperia
供货:锐单
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