SIZ340DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ340DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3
- 渠道：
- digikey
库存 ：498
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.820941 | ￥21.82 |
| 10 | ￥13.744162 | ￥137.44 |
| 100 | ￥9.123882 | ￥912.39 |
| 500 | ￥7.140904 | ￥3570.45 |
| 1000 | ￥6.502491 | ￥6502.49 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A, 40 A
漏源电阻 9.5 mOhms, 5.1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 19 nC, 35 nC
耗散功率 16.7 W, 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
正向跨导（Min） 37 S, 60 S
上升时间 55 ns, 82 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ340DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ340DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
SIZ340DT-T1-GE3
型号：SIZ340DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：498 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.820941 |
| 10+： | ￥13.744162 |
| 100+： | ￥9.123882 |
| 500+： | ￥7.140904 |
| 1000+： | ￥6.502491 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.82