SIZ342DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ342DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
- 渠道：
- digikey
库存 ：6000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥4.699984 | ￥14099.95 |
| 6000 | ￥4.272713 | ￥25636.28 |
| 15000 | ￥4.075511 | ￥61132.66 |
| 30000 | ￥3.944042 | ￥118321.26 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 37 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ342DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ342DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIZ342DT-T1-GE3
数据手册PDF。
SIZ342DT-T1-GE3
型号：SIZ342DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：6000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥4.699984 |
| 6000+： | ￥4.272713 |
| 15000+： | ￥4.075511 |
| 30000+： | ￥3.944042 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00