货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥9.737929 | ¥9.74 |
25 | ¥8.114941 | ¥202.87 |
100 | ¥7.303447 | ¥730.34 |
500 | ¥6.491953 | ¥3245.98 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 6.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 79 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD079N06L3 G SP000453626
单位重量 330 mg
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0IPD079N06L3GBTMA1
型号:IPD079N06L3GBTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.737929 |
25+: | ¥8.114941 |
100+: | ¥7.303447 |
500+: | ¥6.491953 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.74