货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.873301 | ¥10.87 |
10 | ¥9.699479 | ¥96.99 |
25 | ¥9.202766 | ¥230.07 |
100 | ¥6.902075 | ¥690.21 |
250 | ¥6.83634 | ¥1709.09 |
500 | ¥5.85033 | ¥2925.16 |
1000 | ¥4.765718 | ¥4765.72 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
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0SIZ342DT-T1-GE3
型号:SIZ342DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.873301 |
10+: | ¥9.699479 |
25+: | ¥9.202766 |
100+: | ¥6.902075 |
250+: | ¥6.83634 |
500+: | ¥5.85033 |
1000+: | ¥4.765718 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.87