SIZ342DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ342DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
- 渠道：
- digikey
库存 ：12104
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.439915 | ￥17.44 |
| 10 | ￥11.687802 | ￥116.88 |
| 100 | ￥8.118741 | ￥811.87 |
| 500 | ￥6.513656 | ￥3256.83 |
| 1000 | ￥5.987094 | ￥5987.09 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 37 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ342DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ342DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIZ342DT-T1-GE3
数据手册PDF。
SIZ342DT-T1-GE3
型号：SIZ342DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12104 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.439915 |
| 10+： | ￥11.687802 |
| 100+： | ￥8.118741 |
| 500+： | ￥6.513656 |
| 1000+： | ￥5.987094 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.44