货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.74153 | ¥15.74 |
10 | ¥14.043428 | ¥140.43 |
100 | ¥10.947182 | ¥1094.72 |
500 | ¥9.043572 | ¥4521.79 |
1000 | ¥7.139716 | ¥7139.72 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 13.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 79 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 24 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD135N08N3 G SP001127822
单位重量 330 mg
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0IPD135N08N3GATMA1
型号:IPD135N08N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.74153 |
10+: | ¥14.043428 |
100+: | ¥10.947182 |
500+: | ¥9.043572 |
1000+: | ¥7.139716 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.74