
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.215439 | ¥8.22 |
| 10 | ¥7.261389 | ¥72.61 |
| 100 | ¥5.565298 | ¥556.53 |
| 500 | ¥4.399236 | ¥2199.62 |
| 1000 | ¥3.519256 | ¥3519.26 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 730 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 12.6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30.2 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0NTRV4101PT1G
型号:NTRV4101PT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.215439 |
| 10+: | ¥7.261389 |
| 100+: | ¥5.565298 |
| 500+: | ¥4.399236 |
| 1000+: | ¥3.519256 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.22