NSBC114YPDXV6T1G
库存 ：9731
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.309576 | ￥4.31 |
| 10 | ￥3.203287 | ￥32.03 |
| 30 | ￥2.988634 | ￥89.66 |
| 100 | ￥2.790492 | ￥279.05 |
| 500 | ￥2.691421 | ￥1345.71 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 0.21
直流集电极 80, 140
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 357 mW
直流电流增益（Max） 80
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 3 mg
NSBC114YPDXV6T1G 同类别型号
注
NSBC114YPDXV6T1G
型号：NSBC114YPDXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：9731 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.309576 |
| 10+： | ￥3.203287 |
| 30+： | ￥2.988634 |
| 100+： | ￥2.790492 |
| 500+： | ￥2.691421 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.31