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制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 Power MOSFETs
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15.8 nC
耗散功率 1.71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 59 ns
正向跨导(Min) 21.8 S
上升时间 52.5 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8.5 ns
高度 0.5 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 -
单位重量 4.710 mg
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0NTLUS3C18PZTAG
型号:NTLUS3C18PZTAG
品牌:ON
供货:锐单
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