货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥300.785049 | ¥300.79 |
25 | ¥252.069526 | ¥6301.74 |
100 | ¥235.264123 | ¥23526.41 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 62 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 270 nC
耗散功率 1.56 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
上升时间 300 ns
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXFB62N80Q3
型号:IXFB62N80Q3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥300.785049 |
25+: | ¥252.069526 |
100+: | ¥235.264123 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥300.79