EM6K1T2R
库存 ：29249
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.567094 | ￥6.57 |
| 10 | ￥5.553477 | ￥55.53 |
| 100 | ￥3.861737 | ￥386.17 |
| 500 | ￥3.014867 | ￥1507.43 |
| 1000 | ￥2.450526 | ￥2450.53 |
| 2000 | ￥2.190698 | ￥4381.40 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 35 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 0.5 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 EM6K1
单位重量 3 mg
EM6K1T2R 同类别型号
注
EM6K1T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EM6K1T2R
数据手册PDF。
EM6K1T2R
型号：EM6K1T2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：29249 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.567094 |
| 10+： | ￥5.553477 |
| 100+： | ￥3.861737 |
| 500+： | ￥3.014867 |
| 1000+： | ￥2.450526 |
| 2000+： | ￥2.190698 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.57