QS8J4TR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 4 A

漏源电阻 40 mOhms, 40 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 13 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 50 ns, 50 ns

上升时间 20 ns, 20 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 80 ns, 80 ns

典型接通延迟时间 8 ns, 8 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 QS8J4

单位重量 10 mg