R6530ENZC8
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- 制造商编号：
- R6530ENZC8
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V TO PKG
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
R6530ENZC8
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET N-CH 650V TO PKG
包装
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系列
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零件状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
140mOhm @ 14.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 960µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
90nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2.1nF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
86W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-3
封装/外壳
TO-3P-3 Full Pack
R6530ENZC8 同类别型号
注
R6530ENZC8品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、R6530ENZC8
数据手册PDF。
R6530ENZC8
型号：R6530ENZC8
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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