AOSD62666E
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起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.715015 | ￥8145.05 |
| 6000 | ￥2.585712 | ￥15514.27 |
| 9000 | ￥2.466373 | ￥22197.36 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
AOSD62666E
制造商
AOS
商品描述
MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.5A (Ta)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14.5mOhm @ 9.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
755pF @ 30V
功率 - 最大值
2.5W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC
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注
AOSD62666E品牌厂家：AOS
，所属分类： 射频晶体管
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、AOSD62666E
数据手册PDF。
AOSD62666E
型号：AOSD62666E
品牌：AOS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.715015 |
| 6000+： | ￥2.585712 |
| 9000+： | ￥2.466373 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00