IPW65R110CFDFKSA2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPW65R110CFDFKSA2
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- HIGH POWER_LEGACY
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：240
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 240 | ￥89.269369 | ￥21424.65 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 31.2 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 118 nC
耗散功率 277.8 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R110CFD SP001987370
单位重量 6 g
IPW65R110CFDFKSA2 同类别型号
注
IPW65R110CFDFKSA2品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPW65R110CFDFKSA2
数据手册PDF。
IPW65R110CFDFKSA2
型号：IPW65R110CFDFKSA2
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 240+： | ￥89.269369 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00