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数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥2.818218 | ¥7045.55 |
5000 | ¥2.677308 | ¥13386.54 |
12500 | ¥2.576656 | ¥32208.20 |
25000 | ¥2.516266 | ¥62906.65 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.1 A, 2.2 A
漏源电阻 230 mOhms, 235 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V, 2 V
栅极电荷 9.2 nC, 16.5 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 12 ns
正向跨导(Min) 4.8 S, 4.7 S
上升时间 2.1 ns, 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12.1 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 4.3 ns
高度 1.5 mm
长度 4.95 mm
宽度 3.95 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMC10A816N8TC
型号:ZXMC10A816N8TC
品牌:DIODES
供货:锐单
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2500+: | ¥2.818218 |
5000+: | ¥2.677308 |
12500+: | ¥2.576656 |
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