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ZXMC10A816N8TC

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMC10A816N8TC
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 11.476618 11.48
10 10.257966 102.58
100 8.000503 800.05
500 6.609112 3304.56
1000 5.21772 5217.72

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 2.1 A, 2.2 A

漏源电阻 230 mOhms, 235 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.7 V, 2 V

栅极电荷 9.2 nC, 16.5 nC

耗散功率 1.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 5 ns, 12 ns

正向跨导(Min) 4.8 S, 4.7 S

上升时间 2.1 ns, 5.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 12.1 ns, 20 ns

典型接通延迟时间 2.9 ns, 4.3 ns

外形参数

高度 1.5 mm

长度 4.95 mm

宽度 3.95 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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ZXMC10A816N8TC

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型号:ZXMC10A816N8TC

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥11.476618
10+: ¥10.257966
100+: ¥8.000503
500+: ¥6.609112
1000+: ¥5.21772

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