ZXMC10A816N8TC

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 2.1 A, 2.2 A

漏源电阻 230 mOhms, 235 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.7 V, 2 V

栅极电荷 9.2 nC, 16.5 nC

耗散功率 1.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 5 ns, 12 ns

正向跨导（Min） 4.8 S, 4.7 S

上升时间 2.1 ns, 5.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 12.1 ns, 20 ns

典型接通延迟时间 2.9 ns, 4.3 ns

高度 1.5 mm

长度 4.95 mm

宽度 3.95 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg