
货期:国内(1~3工作日)
起订量:8000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8000 | ¥0.218665 | ¥1749.32 |
| 16000 | ¥0.185864 | ¥2973.82 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 340 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
正向跨导(Min) 0.5 S
上升时间 2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0SSM3K35AMFV,L3F
型号:SSM3K35AMFV,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 8000+: | ¥0.218665 |
| 16000+: | ¥0.185864 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00