货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.089006 | ¥3.09 |
10 | ¥2.483561 | ¥24.84 |
100 | ¥1.317152 | ¥131.72 |
500 | ¥0.866402 | ¥433.20 |
1000 | ¥0.589135 | ¥589.13 |
2000 | ¥0.531433 | ¥1062.87 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 340 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
正向跨导(Min) 0.5 S
上升时间 2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0SSM3K35AMFV,L3F
型号:SSM3K35AMFV,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.089006 |
10+: | ¥2.483561 |
100+: | ¥1.317152 |
500+: | ¥0.866402 |
1000+: | ¥0.589135 |
2000+: | ¥0.531433 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.09