
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.541779 | ¥3.54 |
| 10 | ¥2.84759 | ¥28.48 |
| 100 | ¥1.510214 | ¥151.02 |
| 500 | ¥0.993395 | ¥496.70 |
| 1000 | ¥0.675487 | ¥675.49 |
| 2000 | ¥0.609328 | ¥1218.66 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 340 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
正向跨导(Min) 0.5 S
上升时间 2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0SSM3K35AMFV,L3F
型号:SSM3K35AMFV,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.541779 |
| 10+: | ¥2.84759 |
| 100+: | ¥1.510214 |
| 500+: | ¥0.993395 |
| 1000+: | ¥0.675487 |
| 2000+: | ¥0.609328 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.54