SI1922EDH-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1922EDH-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.971787 | ￥4.97 |
| 10 | ￥4.273369 | ￥42.73 |
| 100 | ￥3.191414 | ￥319.14 |
| 500 | ￥2.507912 | ￥1253.96 |
| 1000 | ￥1.937933 | ￥1937.93 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 198 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 220 ns
上升时间 80 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 480 ns
典型接通延迟时间 43 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1922EDH-T1-BE3 SI1988DH-T1-GE3
单位重量 7.500 mg
SI1922EDH-T1-GE3 同类别型号
注
SI1922EDH-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI1922EDH-T1-GE3
数据手册PDF。
SI1922EDH-T1-GE3
型号：SI1922EDH-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.971787 |
| 10+： | ￥4.273369 |
| 100+： | ￥3.191414 |
| 500+： | ￥2.507912 |
| 1000+： | ￥1.937933 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.97