TPH3206LDG-TR
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- 制造商编号：
- TPH3206LDG-TR
- 制造商：
- Transphorm
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- GANFET N-CH 600V PQFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
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定价（含税）
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
TPH3206LDG-TR
制造商
Transphorm
商品描述
GANFET N-CH 600V PQFN
包装
-
系列
-
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
180mOhm @ 11A, 8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
760pF @ 480V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
3-PQFN (8x8)
封装/外壳
3-PowerDFN
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注
TPH3206LDG-TR品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、TPH3206LDG-TR
数据手册PDF。
TPH3206LDG-TR
型号：TPH3206LDG-TR
品牌：Transphorm
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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