货期: 8周-10周
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥2408.858712 | ¥120442.94 |
100 | ¥2336.411638 | ¥233641.16 |
250 | ¥2318.299931 | ¥579574.98 |
500 | ¥2263.964812 | ¥1131982.41 |
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 43 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 179 V
工作频率 1.8 MHz to 400 MHz
输出功率 1.8 kW
正向跨导(Min) 44.7 S
湿度敏感性 Yes
通道数量 2 Channel
耗散功率 3333 W
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 2.1 V
增益 24.4 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935362677578
单位重量 5.281 g
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0MRFX1K80GNR5
型号:MRFX1K80GNR5
品牌:NXP
供货:锐单
单价:
50+: | ¥2408.858712 |
100+: | ¥2336.411638 |
250+: | ¥2318.299931 |
500+: | ¥2263.964812 |
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