货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.9039 | ¥8711.70 |
6000 | ¥2.765608 | ¥16593.65 |
9000 | ¥2.637994 | ¥23741.95 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A, 3.7 A
漏源电阻 65 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 3.12 W, 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 5 S, 3.5 S
上升时间 80 ns, 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 10 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 30 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85 mg
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0SI5504BDC-T1-GE3
型号:SI5504BDC-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.9039 |
6000+: | ¥2.765608 |
9000+: | ¥2.637994 |
货期:1-2天
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