TP65H150G4LSG
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- 制造商编号：
- TP65H150G4LSG
- 制造商：
- Transphorm
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- GAN FET N-CH 650V PQFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥33.429925 | ￥100289.77 |
规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.8 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 5.2 ns
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 37.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
其它
发货限制：
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注
TP65H150G4LSG品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TP65H150G4LSG
数据手册PDF。
TP65H150G4LSG
型号：TP65H150G4LSG
品牌：Transphorm
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥33.429925 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00