
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.238868 | ¥716.60 |
| 6000 | ¥0.221568 | ¥1329.41 |
| 9000 | ¥0.183758 | ¥1653.82 |
| 30000 | ¥0.180488 | ¥5414.64 |
| 75000 | ¥0.162119 | ¥12158.93 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 7.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 223 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3 ns
典型关闭延迟时间 7.6 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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02N7002Q-7-F
型号:2N7002Q-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.238868 |
| 6000+: | ¥0.221568 |
| 9000+: | ¥0.183758 |
| 30000+: | ¥0.180488 |
| 75000+: | ¥0.162119 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00