FDY1002PZ
库存 ：212
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.171102 | ￥7.17 |
| 10 | ￥6.125822 | ￥61.26 |
| 100 | ￥4.578566 | ￥457.86 |
| 500 | ￥3.59722 | ￥1798.61 |
| 1000 | ￥2.779714 | ￥2779.71 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 830 mA
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.9 ns
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
外形参数
高度 0.78 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.88 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
FDY1002PZ 同类别型号
注
FDY1002PZ品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDY1002PZ
数据手册PDF。
FDY1002PZ
型号：FDY1002PZ
品牌：ON
供货：锐单
库存：212 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.171102 |
| 10+： | ￥6.125822 |
| 100+： | ￥4.578566 |
| 500+： | ￥3.59722 |
| 1000+： | ￥2.779714 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.17