TP65H300G4LSG
-
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- 制造商编号：
- TP65H300G4LSG
- 制造商：
- Transphorm
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- GAN FET N-CH 650V PQFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：469
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥49.6712 | ￥49.67 |
| 10 | ￥44.642302 | ￥446.42 |
| 100 | ￥36.575056 | ￥3657.51 |
| 500 | ￥31.135691 | ￥15567.85 |
| 1000 | ￥26.259014 | ￥26259.01 |
| 2000 | ￥25.576962 | ￥51153.92 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TP65H300G4LSG
制造商
Transphorm
商品描述
GAN FET N-CH 650V PQFN
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
312mOhm @ 5A, 8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.6nC @ 8V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
760pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
21W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
3-PQFN (8x8)
封装/外壳
3-PowerDFN
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注
TP65H300G4LSG品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、TP65H300G4LSG
数据手册PDF。
TP65H300G4LSG
型号：TP65H300G4LSG
品牌：Transphorm
供货：锐单
库存：469 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥49.6712 |
| 10+： | ￥44.642302 |
| 100+： | ￥36.575056 |
| 500+： | ￥31.135691 |
| 1000+： | ￥26.259014 |
| 2000+： | ￥25.576962 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥49.67