货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.963707 | ¥8891.12 |
6000 | ¥2.815557 | ¥16893.34 |
15000 | ¥2.709676 | ¥40645.14 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 48 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 42 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 210 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3499DV-T1-BE3 SI3499DV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3499DV-T1-GE3
型号:SI3499DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.963707 |
6000+: | ¥2.815557 |
15000+: | ¥2.709676 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00