
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.28888 | ¥866.64 |
| 6000 | ¥0.267939 | ¥1607.63 |
| 9000 | ¥0.222175 | ¥1999.58 |
| 30000 | ¥0.218292 | ¥6548.76 |
| 75000 | ¥0.196058 | ¥14704.35 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 70 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0SSM3K16FU,LF
型号:SSM3K16FU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.28888 |
| 6000+: | ¥0.267939 |
| 9000+: | ¥0.222175 |
| 30000+: | ¥0.218292 |
| 75000+: | ¥0.196058 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00