货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.013315 | ¥12.01 |
10 | ¥10.787958 | ¥107.88 |
100 | ¥8.414126 | ¥841.41 |
500 | ¥6.950425 | ¥3475.21 |
1000 | ¥5.487083 | ¥5487.08 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 48 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 42 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 210 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3499DV-T1-BE3 SI3499DV-GE3
单位重量 20 mg
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0SI3499DV-T1-GE3
型号:SI3499DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.013315 |
10+: | ¥10.787958 |
100+: | ¥8.414126 |
500+: | ¥6.950425 |
1000+: | ¥5.487083 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.01