
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.133516 | ¥4.13 |
| 10 | ¥2.850701 | ¥28.51 |
| 100 | ¥1.393992 | ¥139.40 |
| 500 | ¥1.162231 | ¥581.12 |
| 1000 | ¥0.807605 | ¥807.61 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 70 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0SSM3K16FU,LF
型号:SSM3K16FU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.133516 |
| 10+: | ¥2.850701 |
| 100+: | ¥1.393992 |
| 500+: | ¥1.162231 |
| 1000+: | ¥0.807605 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.13