货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥3.605098 | ¥3.61 |
10 | ¥2.486274 | ¥24.86 |
100 | ¥1.215788 | ¥121.58 |
500 | ¥1.013654 | ¥506.83 |
1000 | ¥0.704363 | ¥704.36 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 70 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0SSM3K16FU,LF
型号:SSM3K16FU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.605098 |
10+: | ¥2.486274 |
100+: | ¥1.215788 |
500+: | ¥1.013654 |
1000+: | ¥0.704363 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.61