UF3SC065007K4S
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- 制造商编号：
- UF3SC065007K4S
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
- 渠道：
- digikey
库存 ：1556
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥909.629249 | ￥909.63 |
| 25 | ￥868.238517 | ￥21705.96 |
规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 214 nC
耗散功率 789 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 - N Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 36 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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注
UF3SC065007K4S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、UF3SC065007K4S
数据手册PDF。
UF3SC065007K4S
型号：UF3SC065007K4S
品牌：SiC
供货：锐单
库存：1556 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥909.629249 |
| 25+： | ￥868.238517 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥909.63