NX1029X,115

制造商 Nexperia

商标 Nexperia

产品 MOSFET

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V, 50 V

漏极电流 300 mA, 170 mA

漏源电阻 1.6 Ohms, 7.5 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.1 V

栅极电荷 250 pC, 500 pC

耗散功率 500 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 7 ns, 25 ns

正向跨导（Min） 550 mS, 150 mS

上升时间 6 ns, 11 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 12 ns, 48 ns

典型接通延迟时间 5 ns, 13 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

类型 Trench MOSFET

零件号别名 934065643115

单位重量 2.700 mg