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BSM300C12P3E301

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
BSM300C12P3E301
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
渠道:
mouser
digikey

库存 :8

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 12504.137448 12504.14
5 12073.407856 60367.04

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

产品 Power MOSFET Modules

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

正向电压 1.6 V

反向电压 1200 V

栅极电压 22 V

配置 Single

下降时间 30 ns

漏极电流 300 A

耗散功率 1360 W

上升时间 35 ns

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

典型关闭延迟时间 170 ns

典型接通延迟时间 40 ns

漏源击穿电压 1200 V

栅源极阈值电压 2.7 V

物理类型

产品种类 分立半导体模块

类型 SiC Power Module

安装风格 Screw Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules

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BSM300C12P3E301

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型号:BSM300C12P3E301

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:8 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥12504.137448
5+: ¥12073.407856

货期:7-10天

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