RJK6035DPP-A0#T2
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- 制造商编号：
- RJK6035DPP-A0#T2
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Renesas Electronics
商标 Renesas Electronics
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 1.37 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
下降时间 5.3 ns
上升时间 4.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 4.5 mm
长度 15 mm
宽度 10 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
RJK6035DPP-A0#T2 同类别型号
注
RJK6035DPP-A0#T2品牌厂家：INTERSIL/RECTIFIER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RJK6035DPP-A0#T2
数据手册PDF。
RJK6035DPP-A0#T2
型号：RJK6035DPP-A0#T2
品牌：INTERSIL/RECTIFIER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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