
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥76.721607 | ¥76.72 |
| 10 | ¥68.903689 | ¥689.04 |
| 100 | ¥56.458622 | ¥5645.86 |
| 500 | ¥48.062709 | ¥24031.35 |
| 1000 | ¥40.534848 | ¥40534.85 |
| 2000 | ¥38.508151 | ¥77016.30 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 196 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 231 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 67 ns
上升时间 53 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 35 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
发货限制:
购物车
0R6020ENZ4C13
型号:R6020ENZ4C13
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥76.721607 |
| 10+: | ¥68.903689 |
| 100+: | ¥56.458622 |
| 500+: | ¥48.062709 |
| 1000+: | ¥40.534848 |
| 2000+: | ¥38.508151 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥76.72