SI3430DV-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI3430DV-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.612045 | ￥10836.14 |
| 6000 | ￥3.44007 | ￥20640.42 |
| 9000 | ￥3.28127 | ￥29531.43 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 8.2 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3430DV-T1-BE3 SI3430DV-E3
单位重量 20 mg
SI3430DV-T1-E3 同类别型号
注
SI3430DV-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI3430DV-T1-E3、查询SI3430DV-T1-E3代理商；
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替代型号
、SI3430DV-T1-E3
数据手册PDF。
SI3430DV-T1-E3
型号：SI3430DV-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.612045 |
| 6000+： | ￥3.44007 |
| 9000+： | ￥3.28127 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00