货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.64443 | ¥4.64 |
10 | ¥3.276205 | ¥32.76 |
100 | ¥1.654421 | ¥165.44 |
500 | ¥1.466135 | ¥733.07 |
1000 | ¥1.141024 | ¥1141.02 |
2000 | ¥1.021273 | ¥2042.55 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RYM002N05
单位重量 1.500 mg
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0RYM002N05T2CL
型号:RYM002N05T2CL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.64443 |
10+: | ¥3.276205 |
100+: | ¥1.654421 |
500+: | ¥1.466135 |
1000+: | ¥1.141024 |
2000+: | ¥1.021273 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.64