货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.139369 | ¥15.14 |
10 | ¥13.509864 | ¥135.10 |
100 | ¥10.536308 | ¥1053.63 |
500 | ¥8.703635 | ¥4351.82 |
1000 | ¥6.871194 | ¥6871.19 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns, 25 ns
正向跨导(Min) 43 S, 43 S
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns, 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJB60EP-T1_GE3
型号:SQJB60EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.139369 |
10+: | ¥13.509864 |
100+: | ¥10.536308 |
500+: | ¥8.703635 |
1000+: | ¥6.871194 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.14